• 반도체 회로 선폭의 나노화 진행으로 세정공정에서 정전기발생 (ESA, ESD)으로 인한 문제가 발생합니다.

• ESA (Electrostatic Attraction) : wafer에 파티클이 역흡착 되어 문제 발생
• ESD (Electrostatic Discharge) : arcing 발생하고 wafer 패턴에 불량 (hot spot, pitting 등) 발생
• 장비 오작동, wafer 파손 등으로 반도체 수율 하락
• 반도체 회로 및 wafer 내 이물질 문제

• 대전방지 Solution 비교

• CB=Carbon Black
• TOC 용출 조건 : 80℃, 1hr
• SEMI E78 : ESDS(Electrostatic discharge sensitive) Wafer 주변 약 30cm 주변 대전량은 100V이하로 관리되어야 한다.
•  : 산업 적용이 어려운 항목

-  내화학성 Test

- ICP-MS(Metal 용출) Test

• 접지와 제전소재를 동시에 사용한다면 세정 챔버 내의 정전기를 안정적으로 관리할 수 있습니다.

• 높은 내열성
• 높은 내화학성
• 높은 내마모성
• 안정적인 대전방지영역의 표면저항 (1×10⁵~1×10⁹Ω/sq)

• 반도체 세정공정 장비 Parts : bowl, chuck, nozzle, bath, tank, pipe line, tube, fitting 등
• 반도체 etching, photo 공정 장비 Parts
• 정전기 방지가 필요한 불소수지 Parts의 대체

• 반도체 산업
• 디스플레이 산업
• 케미컬 산업

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